【计算机组成原理】详细分析RAM、RRAM、SRAM以及DRAM 的基本知识

目录

前言1. 基本知识2. 差异之处

前言

此知识点常出现在408或者是软考中，对该知识点详细补充

1. 基本知识

RAM（Random Access Memory，随机存取存储器） 用于临时存储数据以供CPU快速访问的存储设备 是计算机中的主要内存，用于存储运行中的程序和数据 易失性存储器，这意味着当电源关闭时，其中的数据会被清除

RRAM（Resistive Random-Access Memory，阻性随机存取存储器） 一种新型的非易失性存储器技术 基于电阻变化，通过调整材料中的电阻状态来存储数据 RRAM相比于传统的闪存技术具有更快的读写速度和更低的能耗，因此被广泛认为是下一代存储技术的潜在候选者之一

SRAM： 每个存储单元由多个触发器构成，每个触发器可以存储一个位，因此 SRAM 速度较快 存储单元不需要刷新，因为数据存储在触发器中，只要电源保持稳定，数据就会一直保持 由于其简单的存储单元结构，读写速度比较快，而且不需要刷新操作，因此功耗相对较低

DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器） 一种常见的RAM类型，使用一种称为电容的存储单元来存储数据 需要定期刷新以保持数据的有效性，因为电容会逐渐失去电荷 这种刷新操作会消耗额外的能量，并且可能会导致一定程度的性能损失

2. 差异之处

以下是这三种存储器的一些基本差异：

特征RAM（随机存取存储器）RRAM（阻性随机存取存储器）DRAM（动态随机存取存储器）易失性是否是读写速度一般通常较快一般能耗一般通常较低一般数据稳定性不稳定稳定不稳定刷新需求不适用不适用需要定期刷新制造成本一般可能较高一般主要用途主内存、缓存下一代存储技术主内存

补充另外的一些方面：

可靠性：在工作环境中，RAM和DRAM的稳定性可能会受到电压波动、温度变化等因素的影响，而RRAM通常更能抵抗这些外部干扰，因此在一些对可靠性要求较高的应用中可能更受青睐技术发展：虽然DRAM是目前主流的内存技术，但RRAM等新型存储技术正在不断发展。随着技术的成熟和推广，这些新型存储技术可能会在未来取代传统的DRAM，成为主流的内存类型存储密度：RRAM通常具有更高的存储密度，这意味着相同的物理空间可以存储更多的数据，这对于大容量存储设备的设计和制造具有重要意义功耗：由于RRAM通常具有更低的能耗，因此在移动设备和电池供电设备中可能更具吸引力，可以延长电池寿命并提高设备的续航能力数据保持时间：RRAM通常具有更长的数据保持时间，意味着它可以更长时间地保持存储的数据而不需要刷新操作，这对于一些需要长期存储数据的应用非常重要